Новости|3 Апрель 2013 15:53

Новый тип ОЗУ в 15 раз быстрее DDR3

Консорциум HMC (расшифровывается как Hybrid Memory Cube) в составе из именитых производителей памяти вроде Samsung и Micron, объявил о создании нового типа ОЗУ. По словам разработчиков, их новый продукт существенно превосходит память DDR3 и DDR4, и по быстродействию, и по энергопотреблению.

память HMC

Стимулом к созданию новой оперативной памяти явилась проблема «барьера памяти», суть которой заключается в отставании ОЗУ от микрочипов в темпах развития, а также в том, что они являются узким местом в узле обмена данными с CPU. Для преодоления этих проблем нужна была радикально новая архитектура, и HMC ее создал.

Инженеры консорциума предлагают модули ОЗУ, состоящие из слоев, наложенных друг на друга. За взаимодействие слоев отвечает технология VIA через содержащийся в основе конструкции единый контроллер. В настоящий момент новый чип памяти позволяет программной платформе использовать 128 (при объеме памяти в 2 Гб) или 256 (при объеме 4 Гб) блоков памяти, при этом скорость передачи в обоих направлениях достигает 160 Гб/сек. Как пример, скорость передачи DDR3 составляет 11 Гб/сек, DDR4 — до 20 Гб/сек. Кроме того, почти при 15-кратном увеличении производительности разработчикам удалось снизить энергопотребление ОЗУ на 70%.