Новости|27 Ноябрь 2013 7:16

MRAM – оперативная память нового поколения

Более двадцати компаний из Северной Америки и Японии, специализирующиеся на изготовлении модулей оперативной памяти, объединили свои ресурсы, чтобы создать и запустить массовый выпуск новых чипов ОЗУ с низкими энергоаппетитами и повышенным быстродействием по сравнению с актуальным сейчас форматом автоматической памяти DRAM. Совместная разработка RAM нового поколения начнется в феврале.

Новая память получила название MRAM, что расшифровывается как магниторезистивная память с произвольным доступом. Первые разработки MRAM начались несколько лет назад, но все это время она находилась в тени более распространенных форматов памяти DRAM- и NAND-форматов, ставших общемировым стандартом. Из своих дороговизны и малоизвестности чипы MRAM никому, кроме ограниченного круга специалистов, не оказались интересны.

В отличие от формата DRAM, подразумевающего для хранения информации использование магнитных зарядов, а не электрических, чипы формата MRAM смогут сохранять данные при отключении питания. Помимо этого, новый формат нуждается в трое меньшем количестве энергии и обладает в 10 раз большей эффективностью, чем действующий стандарт ОЗУ.

MRAM

Все эти свойства MRAM должны сделать ее очень популярной у поставщиков мобильной электроники, где вопрос малого энергопотребления особенно остр. С тем же успехом новый стандарт может использоваться в офисных и домашних десктопах. Но помните, доверять смену оперативной памяти нужно специализированным сервисам, чьи рабочим направлением является обслуживание компьютеров и компьютерной техники.

О том, когда память MRAM появится на рынке, говорить еще рано.